Veranstaltung: Halbleitertechnologie

Nummer:
141384
Lehrform:
Vorlesung mit integrierten Übungen
Medienform:
rechnerbasierte Präsentation, Tafelanschrieb
Verantwortlicher:
Prof. Dr.-Ing. Martin Hoffmann
Dozent:
Dr.-Ing. Ulrich Wieser (ETIT)
Sprache:
Deutsch
SWS:
3
LP:
4
Angeboten im:
Wintersemester

Termine im Wintersemester

  • Beginn: Mittwoch den 11.10.2017
  • Vorlesung Mittwochs: ab 14:15 bis 15.45 Uhr im ID 03/455
  • Übung Dienstags: ab 12:00 bis 12.45 Uhr im ID 03/445

Prüfung

Mündlich

Termin nach Absprache mit dem Dozenten.

Dauer: 30min
Prüfungsanmeldung: FlexNow

Ziele

Ausgehend von den materialwissenschaftlichen Grundlagen durchschauen die Teilnehmer die Grundzüge der Herstellungstechniken moderner Halbleiterbauelemente und integrierter Schaltungen. Ein Absolvent der Veranstaltung ist damit auch auf spezielle Herausforderungen der industriellen Halbleiter-Prozesstechnologie vorbereitet.

Inhalt

Zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltungen wird eine Vielzahl unterschiedlicher technologischer Prozesse benötigt. So müssen zunächst hochreine Halbleiterkristalle in Form von Wafern gewonnen werden, welche die Basismaterialien für die Mikroelektronik darstellen. Anschließend werden die Wafer mit verschiedenen Verfahren oxidiert, beschichtet, strukturiert, dotiert, zerteilt und schließlich kontaktiert, und als Bauelemente, oder integrierte Schaltungen verpackt. Die Lehrveranstaltung 'Halbleitertechnologie' soll ein grundlegendes Verständnis wichtiger Prozesse und Verfahren bei der Präparation von Halbleiterbauelementen vermitteln. Der Inhalt der Lehrveranstaltung umfasst Themen wie:

  • Herstellung hochreiner Einkristalle
  • Epitaxieverfahren
  • Oxidationstechniken
  • Lithografieverfahren
  • Ätzverfahren
  • Depositionsverfahren
  • Dotiertechniken
  • Aufbau- und Verbindungstechnik

Voraussetzungen

keine

Empfohlene Vorkenntnisse

  • Grundlagen Chemie
  • Physik
  • Elektronische Materialien
  • Elektronische Bauelemente

Materialien

Folien:

Übungen: