Veranstaltung: Plasmatechnik 2

Nummer:
141284
Lehrform:
Vorlesung und Übungen
Medienform:
rechnerbasierte Präsentation, Tafelanschrieb
Verantwortlicher:
Prof. Dr.-Ing. Peter Awakowicz
Dozenten:
Prof. Dr.-Ing. Peter Awakowicz (ETIT), Patrick Hermanns (ETIT)
Sprache:
Deutsch
SWS:
4
LP:
5
Angeboten im:
Sommersemester

Termine im Sommersemester

  • Beginn: Mittwoch den 11.04.2018
  • Vorlesung Mittwochs: ab 10:15 bis 11.45 Uhr im ID 03/463
  • Übung Donnerstags: ab 08:15 bis 09.45 Uhr im ID 03/463

Prüfung

Mündlich

Termin nach Absprache mit dem Dozenten.

Dauer: 30min
Prüfungsanmeldung: FlexNow

Ziele

Die Studierenden haben Verständnis für die mathematische Beschreibung plasmaphysikalischer Abscheideprozesse und sind dadurch in der Lage, reale Prozesse grundsätzlich zu verstehen, die Abhängigkeit von den wesentlichen Parametern zu erkennen und Überlegungen zur sinnvollen Auslegung weiterer Prozesse anzustellen.

Inhalt

Die 'Plasmatechnik 2' beschäftigt sich mit grundsätzlichen Fragen der Wechselwirkung von Plasmen mit Oberflächen, der Anwendbarkeit dieser Wechselwirkung und konkreten physikalisch-technischen Prozessen und Apparaturen.

Im ersten Teil der Vorlesung spielen die Gasphasen und Oberflächenprozesse in modernen plasmatechnischen Prozessen eine wichtige Rolle. Anhand anschaulicher Bilder werden die physikalischen Grundlagen der wichtigsten Oberflächenprozesse aufgezeigt. Das Zusammenspiel von Gasphasen und Oberflächenkinetik wird am Beispiel der Oxidation eines Kohlestofffilms aufgezeigt.

Der zweite Teil ist der Schichtabscheidung durch Sputterverfahren gewidmet. Hierbei wird insbesondere auf die am weitesten verbreitete Methode der Magnetron-Entladung eingegangen. Sowohl das rein physikalische, als auch das reaktive Sputtering von metallsichen, aber auch dielektrischen Schichten wird aufgezeigt. Grundsätzliche Fragestellungen zur Schichtabscheidung und Schichtmorphologie werden in Abhängigkeit wichtiger Parameter erörtert.

Die plasmaunterstützte chemische Abscheidung aus der Gasphase (PECVD) bildet den dritten Teil der Vorlesung. Hier wird mit einfachen Modellen die Deposition von für die Mikroelektronik so wichtigen Filmen wie Siliziumdioxid und amorphes wasserstoffdotiertes Silizium besprochen.

Voraussetzungen

keine

Empfohlene Vorkenntnisse

  • Plasmatechnik 1
  • Plasmaoberflächenwechselwirkung (Prof. v. Keudell / Physik)
  • Grundlagen der Chemie

Materialien

Folien: