Veranstaltung: Master-Projekt HFET-Technologie

Nummer:
148232
Lehrform:
Projekt
Verantwortlicher:
Prof. Dr.-Ing. Ulrich Kunze
Dozenten:
Prof. Dr.-Ing. Ulrich Kunze (ETIT), Dipl.-Ing. Michael Szelong (ETIT), Dr.-Ing. Liudmila Znajdova (ETIT)
Sprache:
Deutsch
SWS:
3
LP:
3
Angeboten im:

Prüfung

Projektarbeit

studienbegleitend

Ziele

Die Studierenden haben praktisches Verständnis von Halbleitertechnologie und Bauelementcharakterisierung erworben.

Inhalt

Das Projekt HFET-Technologie ist in zwei Abschnitte gegliedert. Im ersten Abschnitt wird der vollständige technologische Prozess zur Herstellung eines GaAs/AlGaAs Hetero-Feldeffekttransistors praktisch vermittelt. Nach Herstellung eines funktionstüchtigen Transistors wird dieser im zweiten Abschnitt durch Gleich- und Wechselstrom-Messungen elektrisch charakterisiert. Praktische Fähigkeiten werden insbesondere in den Bereichen Fotolithografie, Strukturübertragung, Kontaktpräparation sowie bei der elektrischen Charakterisierung des Transistors erarbeitet.

Voraussetzungen

keine

Empfohlene Vorkenntnisse

  • Grundlagen Halbleitertechnologie
  • Vorlesung Nanoelektronik
  • Vorlesung Festkörperelektronik
  • Schwerpunkt Mikro- und Nanoelektronik